IRF6811STR1PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6811STR1PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF6811STR1PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 35µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET™ SQ
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.7 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 32W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric SQ
Otros nombres

IRF6811STR1PBFDKR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1590pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 74A (Tc)

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IRF6894MTRPBF

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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