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IRF6892STR1PBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF6892STR1PBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 25V 28A S3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRF6892STR1PBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.1V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    DIRECTFET™ S3C
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 28A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.1W (Ta), 42W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DirectFET™ Isometric S3C
  • Otros nombres
    IRF6892STR1PBF-ND
    IRF6892STR1PBFTR
    SP001526954
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2510pF @ 13V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    25nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    25V
  • Descripción detallada
    N-Channel 25V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
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