International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7103Q

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7103Q
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF7103Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

130 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max

2.4W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

*IRF7103Q
SP001516968
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

255pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A

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IRF7103QTRPBF

Descripción: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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