International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7106

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7106
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF7106.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 1A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.5A

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF7106".

IRF710S

Descripción: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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