International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7171MTRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7171MTRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 15A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7171MTRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.6V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET™ MN
Serie

FASTIRFET™, HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6.5 mOhm @ 56A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 104W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric MN
Otros nombres

IRF7171MTRPBF-ND
IRF7171MTRPBFTR
SP001559758
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2160pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 15A (Ta), 93A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 93A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF7171MTRPBF".

IRF710S

Descripción: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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