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IRF7706TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF7706TR
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IRF7706TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-TSSOP
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    22 mOhm @ 7A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.51W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2211pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 7A (Ta) 1.51W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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