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IRF7707TR

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7707TR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF7707TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSSOP
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.5W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2361pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

47nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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