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Imagen IRF7901D1TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7901D1TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7901D1TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7901D1TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs

38 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

IRF7901D1PBFTR
IRF7901D1TRPBF-ND
IRF7901D1TRPBFTR-ND
Q2189627
SP001572258
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.5nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A
Número de pieza base

IRF7901D1PBF

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