International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7907TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7907TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7907TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.35V @ 25µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

IRF7907TRPBFDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A, 11A
Número de pieza base

IRF7907PBF

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IRF7901D1

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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