International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH4213TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH4213TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH4213TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.35 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.6W (Ta), 89W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

IRFH4213TRPBFTR
SP001551856
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3420pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 41A (Ta) 3.6W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

41A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFH4213TRPBF".

IRFH4251DTRPBF

Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

IRFH4213TRPBF

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