International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH3702TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH3702TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH3702TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (3x3)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

7.1 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

IRFH3702TRPBF-ND
IRFH3702TRPBFTR
SP001572498
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 16A (Ta), 42A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 42A (Tc)

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IRFH4210TRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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