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Imagen IRFH5015TR2PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5015TR2PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH5015TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH5015TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

31 mOhm @ 34A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.6W (Ta), 156W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

IRFH5015TR2PBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

50nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 10A (Ta), 56A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 56A (Tc)

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