International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5053TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH5053TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH5053TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PQFN (5x6) Single Die
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

18 mOhm @ 9.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

IRFH5053TRPBFTR
SP001556266
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta), 46A (Tc)

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