International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHS8342TR2PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFHS8342TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFHS8342TR2PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-PQFN (2x2)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-PowerVDFN
Otros nombres

IRFHS8342TR2PBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta), 19A (Tc)

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IRFI1010NPBF

Descripción: MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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