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IRFHM8363TRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRFHM8363TRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRFHM8363TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.35V @ 25µA
  • Paquete del dispositivo
    8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    14.9 mOhm @ 10A, 10V
  • Potencia - Max
    2.7W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Otros nombres
    SP001565948
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1165pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11A
  • Número de pieza base
    IRFHM8363PBF

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