IRFL4315

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Especificaciones

Número de pieza

IRFL4315
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRFL4315.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

185 mOhm @ 1.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

*IRFL4315
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

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IRFL4105TRPBF

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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