IRFL9110PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFL9110PBF
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFL9110PBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 Ohm @ 660mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 3.1W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.7nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

P-Channel 100V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A (Tc)

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