International Rectifier (Infineon Technologies)

IRG8B08N120KDPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRG8B08N120KDPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE 1200V 8A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRG8B08N120KDPBF.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A
Condición de prueba

600V, 5A, 47 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

20ns/160ns
Cambio de Energía

300µJ (on), 300µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns
Potencia - Max

89W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP001542028
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
puerta de carga

45nC
Descripción detallada

IGBT 1200V 15A 89W Through Hole TO-220AB
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

15A
Corriente - colector (Ic) (Max)

15A

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IRG8CH184K10F

Descripción: IGBT CHIP WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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