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IRG8CH106K10F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRG8CH106K10F
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 110A DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRG8CH106K10F.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 110A
  • Condición de prueba
    600V, 110A, 1 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    80ns/380ns
  • Cambio de Energía
    -
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    SP001537432
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • puerta de carga
    700nC
  • Descripción detallada
    IGBT 1200V Surface Mount Die

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