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792799Imagen IRLML6401GTRPBFInfineon Technologies

IRLML6401GTRPBF

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$0.11
30000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRLML6401GTRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRLML6401GTRPBF.pdf
  • Modelo ECAD
  • Voltaje - Prueba
    830pF @ 10V
  • Tensión - Desglose
    Micro3™/SOT-23
  • VGS (th) (Max) @Id
    50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
  • Vgs (Max)
    1.8V, 4.5V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    HEXFET®
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.3A (Ta)
  • Polarización
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    IRLML6401GTRPBF-ND
    IRLML6401GTRPBFTR
    SP001568584
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    13 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    IRLML6401GTRPBF
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    15nC @ 5V
  • Tipo de IGBT
    ±8V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    950mV @ 250µA
  • Característica de FET
    P-Channel
  • Descripción ampliada
    P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    -
  • Descripción
    MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    12V
  • relación de capacidades
    1.3W (Ta)

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