IRLMS1503TR

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Especificaciones

Número de pieza

IRLMS1503TR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRLMS1503TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro6™(TSOP-6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 2.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.7W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Otros nombres

*IRLMS1503TR
IRLMS1503
IRLMS1503CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

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IRLMS1902TR

Descripción: MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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