International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLU014N

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Especificaciones

Número de pieza

IRLU014N
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRLU014N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

140 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

28W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

*IRLU014N
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.9nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 10A (Tc) 28W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRLU014N".

IRLU110

Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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