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5286829Imagen IRLU110PBFElectro-Films (EFI) / Vishay

IRLU110PBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRLU110PBF
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRLU110PBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-251AA
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    540 mOhm @ 2.6A, 5V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Otros nombres
    *IRLU110PBF
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    6.1nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

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