SIDC06D120H8X1SA2

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Especificaciones

Número de pieza

SIDC06D120H8X1SA2
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIDC06D120H8X1SA2.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.97V @ 7.5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1200V
Paquete del dispositivo

Sawn on foil
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

SP000527596
Temperatura de funcionamiento - Junction

-40°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1200V 7.5A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Corriente - Fuga inversa a Vr

27µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io)

7.5A (DC)
Capacitancia Vr, F

-

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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