SIDC03D120H6X1SA3

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Especificaciones

Número de pieza

SIDC03D120H6X1SA3
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

SIDC03D120H6X1SA3.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.6V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1200V
Paquete del dispositivo

Sawn on foil
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

SIDC03D120H6
SIDC03D120H6-ND
SP000013218
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1200V 3A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Corriente - Fuga inversa a Vr

27µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io)

3A (DC)
Capacitancia Vr, F

-

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SIDC06D60AC6X1SA1

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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SIDC03D120H6X1SA3

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