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6882194Imagen 1SS355TE-17LAPIS Semiconductor

1SS355TE-17

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1SS355TE-17
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    80V
  • Paquete del dispositivo
    UMD2
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-90, SOD-323F
  • Otros nombres
    1SS355TE-17TR
    1SS355TE17
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount UMD2
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100nA @ 80V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    100mA
  • Capacitancia Vr, F
    3pF @ 0.5V, 1MHz
  • Número de pieza base
    1SS355
1SS315TPH3F

1SS315TPH3F

Descripción: DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS361FV,L3F(T

1SS361FV,L3F(T

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS360(T5L,F,T)

1SS360(T5L,F,T)

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS356TW11

1SS356TW11

Descripción: DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
1SS309(TE85L,F)

1SS309(TE85L,F)

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Descripción: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
1SS355 RRG

1SS355 RRG

Descripción: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
1SS351-TB-E

1SS351-TB-E

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
1SS361UDJ-7

1SS361UDJ-7

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT963

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
1SS307(TE85L,F)

1SS307(TE85L,F)

Descripción: DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS361LPH4-7B

1SS361LPH4-7B

Descripción: DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
1SS361LP3-7

1SS361LP3-7

Descripción: DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
1SS355WTE-17

1SS355WTE-17

Descripción: DIODE GEN PURPOSE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Descripción: DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS355-TP

1SS355-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
1SS308(TE85L,F

1SS308(TE85L,F

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS361,LJ(CT

1SS361,LJ(CT

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS352,H3F

1SS352,H3F

Descripción: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Descripción: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
1SS361CT(TPL3)

1SS361CT(TPL3)

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles

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