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439267Imagen 1SS307E,L3FToshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1SS307E,L3F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1SS307E,L3F.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    80V
  • Paquete del dispositivo
    SC-79
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-79, SOD-523
  • Otros nombres
    1SS307E,L3F(B
    1SS307E,L3F(T
    1SS307EL3FTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-79
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10nA @ 80V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    100mA
  • Capacitancia Vr, F
    6pF @ 0V, 1MHz

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