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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SCR375P5T100R

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Imagen 2SCR375P5T100R

LAPIS Semiconductor

2SCR375P5T100R

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Especificaciones

Número de pieza

2SCR375P5T100R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SCR375P5T100R.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

120V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 80mA, 800mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

MPT3
Serie

-
Potencia - Max

500mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Otros nombres

2SCR375P5T100RCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 1.5A 200MHz 500mW Surface Mount MPT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 200mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1.5A

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