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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SCR513P5T100

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Imagen 2SCR513P5T100

LAPIS Semiconductor

2SCR513P5T100

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Especificaciones

Número de pieza

2SCR513P5T100
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.2SCR513P5T100.pdf
2.2SCR513P5T100.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

MPT3
Serie

-
Potencia - Max

500mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Otros nombres

2SCR513P5T100CT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

360MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 1A 360MHz 500mW Surface Mount MPT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 50mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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