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4781737Imagen BSM120D12P2C005LAPIS Semiconductor

BSM120D12P2C005

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSM120D12P2C005
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.BSM120D12P2C005.pdf
    2.BSM120D12P2C005.pdf
    3.BSM120D12P2C005.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.7V @ 22mA
  • Paquete del dispositivo
    Module
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    -
  • Potencia - Max
    780W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    14000pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1200V (1.2kV)
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

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Descripción: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

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Descripción: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

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