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886027Imagen DTC114YEBTLLAPIS Semiconductor

DTC114YEBTL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DTC114YEBTL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.DTC114YEBTL.pdf
    2.DTC114YEBTL.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    EMT3F (SOT-416FL)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potencia - Max
    150mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-89, SOT-490
  • Otros nombres
    DTC114YEBTL-ND
    DTC114YEBTLTR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    70mA
  • Número de pieza base
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