DTC114YETL

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Especificaciones

Número de pieza

DTC114YETL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTC114YETL.pdf
2.DTC114YETL.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

EMT3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-75, SOT-416
Otros nombres

DTC114YETL-ND
DTC114YETLTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

70mA
Número de pieza base

DTC114

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DTC114WSATP

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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