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Imagen DTD123ECT116

LAPIS Semiconductor

DTD123ECT116

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Especificaciones

Número de pieza

DTD123ECT116
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTD123ECT116.pdf
2.DTD123ECT116.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SST3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

2.2 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

DTD123ECMGT116
DTD123ECT116TR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

39 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA

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