DTD114ECHZGT116

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Especificaciones

Número de pieza

DTD114ECHZGT116
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTD114ECHZGT116.pdf
2.DTD114ECHZGT116.pdf
Modelo ECAD
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased + Diode
Paquete del dispositivo

SST3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

DTD114ECHZGT116TR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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