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Imagen DTD523YETL

LAPIS Semiconductor

DTD523YETL

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Especificaciones

Número de pieza

DTD523YETL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTD523YETL.pdf
2.DTD523YETL.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

12V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

EMT3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-75, SOT-416
Otros nombres

DTD523YETLCT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

260MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

DTD523

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