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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTD713ZMT2L

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Imagen DTD713ZMT2L

LAPIS Semiconductor

DTD713ZMT2L

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Especificaciones

Número de pieza

DTD713ZMT2L
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DTD713ZMT2L.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

VMT3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-723
Otros nombres

DTD713ZMT2LDKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

260MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

200mA
Número de pieza base

DTD713

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