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5094766Imagen EMA8T2RLAPIS Semiconductor

EMA8T2R

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EMA8T2R
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    EMA8T2R.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    EMT5
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potencia - Max
    300mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Otros nombres
    EMA8T2RTR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount EMT5
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
    MA8

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