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1833555Imagen EMD12T2RLAPIS Semiconductor

EMD12T2R

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EMD12T2R
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.EMD12T2R.pdf
    2.EMD12T2R.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    EMT6
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potencia - Max
    150mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Otros nombres
    EMD12T2RCT
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
    MD12

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