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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > EMD29T2R

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Imagen EMD29T2R

LAPIS Semiconductor

EMD29T2R

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Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

EMD29T2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.EMD29T2R.pdf
2.EMD29T2R.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V, 12V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

EMT6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms, 10 kOhms
Potencia - Max

120mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

EMD29T2RDKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz, 260MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA, 500mA
Número de pieza base

*MD29

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