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6721106Imagen QS8J4TRLAPIS Semiconductor

QS8J4TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    QS8J4TR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.QS8J4TR.pdf
    2.QS8J4TR.pdf
    3.QS8J4TR.pdf
    4.QS8J4TR.pdf
    5.QS8J4TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Paquete del dispositivo
    TSMT8
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    56 mOhm @ 4A, 10V
  • Potencia - Max
    550mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    800pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4A

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Descripción: INDICATOR 8MM FIXED WHT 12V WIRE

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Descripción: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

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