QS8M51TR

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Especificaciones

Número de pieza

QS8M51TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.QS8M51TR.pdf
2.QS8M51TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo

TSMT8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

325 mOhm @ 2A, 10V
Potencia - Max

1.5W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

QS8M51CT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.7nC @ 5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A, 1.5A
Número de pieza base

*M51

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QS8M13TCR

Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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