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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > QST4TR
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536516Imagen QST4TRLAPIS Semiconductor

QST4TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    QST4TR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 12V 3A TSMT6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    QST4TR.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    12V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 30mA, 1.5A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    TSMT6 (SC-95)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.25W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    280MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 3A 280MHz 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    270 @ 500mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    3A
  • Número de pieza base
    QST

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