Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > R6015ENZC8
RFQs/Orden (0)
español
español
1574859Imagen R6015ENZC8LAPIS Semiconductor

R6015ENZC8

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1+
$4.99
10+
$4.456
100+
$3.654
500+
$2.959
1000+
$2.496
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    R6015ENZC8
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    R6015ENZC8.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-3PF
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    120W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3P-3 Full Pack
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    17 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    910pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 15A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "R6015ENZC8".
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
RFQ
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Descripción: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R60200-1STR

R60200-1STR

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6013-00

R6013-00

Descripción: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Fabricantes: Harwin
Existencias disponibles
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
RFQ
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

Descripción: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.