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3920357Imagen R6015ANJTLLAPIS Semiconductor

R6015ANJTL

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1000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    R6015ANJTL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 1mA
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    LPTS
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    300 mOhm @ 7.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    100W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 15A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

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