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Imagen RD3U040CNTL1

LAPIS Semiconductor

RD3U040CNTL1

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Especificaciones

Número de pieza

RD3U040CNTL1
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NCH 250V 4A POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RD3U040CNTL1.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.3 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

29W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RD3U040CNTL1TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 4A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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