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RD3U080CNTL1

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Especificaciones

Número de pieza

RD3U080CNTL1
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NCH 250V 8A POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RD3U080CNTL1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

85W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RD3U080CNTL1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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RD3H160SPTL1

Descripción: PCH -45V -16A POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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