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Imagen RFN6BM2DFHTL

LAPIS Semiconductor

RFN6BM2DFHTL

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Especificaciones

Número de pieza

RFN6BM2DFHTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RFN6BM2DFHTL.pdf
2.RFN6BM2DFHTL.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

980mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

TO-252
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

25ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RFN6BM2DFHTLTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

6A

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