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2270851Imagen RFNL5TJ6SGC9LAPIS Semiconductor

RFNL5TJ6SGC9

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RFNL5TJ6SGC9
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220ACFP
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    130ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2 Full Pack
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 5A Through Hole TO-220ACFP
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    5A
  • Capacitancia Vr, F
    -
RFNL5BM6STL

RFNL5BM6STL

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFNL5BGE6STL

RFNL5BGE6STL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Descripción: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Descripción: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5BM6STL

RFN5BM6STL

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN6B2DTL

RFN6B2DTL

Descripción: DIODE GEN PURPOSE TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN6BM2DTL

RFN6BM2DTL

Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFNL10TJ6SGC9

RFNL10TJ6SGC9

Descripción: DIODE GP 600V 10A TO220ACFP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Descripción: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN6BM2DFHTL

RFN6BM2DFHTL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFNL5BM6SFHTL

RFNL5BM6SFHTL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFNL20TJ6SGC9

RFNL20TJ6SGC9

Descripción: DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles

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