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4511372Imagen RK7002BMHZGT116LAPIS Semiconductor

RK7002BMHZGT116

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RK7002BMHZGT116
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    2.5V DRIVE NCH MOSFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RK7002BMHZGT116.pdf
    2.RK7002BMHZGT116.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SST3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    350mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    RK7002BMHZGT116CT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    15pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

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