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6626401Imagen SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage

SSM3J36MFV,L3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM3J36MFV,L3F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SSM3J36MFV,L3F.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    VESM
  • Serie
    U-MOSIII
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    150mW (Ta)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    SOT-723
  • Otros nombres
    SSM3J36MFV(TL3T)DKR
    SSM3J36MFV(TL3T)DKR-ND
    SSM3J36MFVL3FDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    43pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    1.2nC @ 4V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    330mA (Ta)

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